古玉portfolio | 赛迈科两项SiC单晶生长用等静压石墨标准正式发布
2025年4月23日，在第三届九峰山论坛(JFSC)暨化合物半导体产业博览会(CSE)期间，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）（以下简称“联盟”）正式发布由赛迈科牵头起草的两项SiC单晶生长用等静压石墨标准：
T/CASAS 036—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法》
T/CASAS 048—2025《碳化硅单晶生长用等静压石墨》
两项标准的发布，旨在为碳化硅（SiC）单晶生长技术的规模化、高质量发展提供关键支撑。
标准制定背景
技术创新与技术标准结合往往决定了产业的发展方向和产业价值链的分配比。
2024年，我国SiC衬底产量120万片，同比增长60%，占全球供给的三分之一，进入全球第一梯队。这离不开20年来SiC衬底研发的持续投入，离不开供应链企业的共同努力。
等静压石墨是PVT法生长SiC单晶的重要耗材，占SiC衬底生产物料成本的30%，其国产化、产业化、规模化推动了SiC成本的持续降低，加快了SiC器件更广泛的应用于光伏、储能、工业变频，为我国的双碳战略贡献力量。
标准点评
联盟副理事长兼秘书长杨富华致辞中表示，标准已从传统意义上的产品互换和质量评判的依据上升为产业整体发展战略的重要组成部分，成为事关产业发展的基础性、先导性和战略性工作。本次碳化硅单晶生长用等静压石墨两项标准的发布，标志着我国在高端碳材料领域迈出坚实的一步。联盟目前围绕产业链上中下游协同，规划制定标准60余项，以树立行业信心，助力新兴市场开拓，支撑产业的高质量发展。联盟欢迎更多的产业力量参与进来，以标准为引领，以创新为驱动，共同构建开放、共享、可持续的第三代半导体产业生态体系。
赛迈科一直高度重视标准化工作，截至目前，已牵头和参与编制国家标准、行业标准等共计 19 项，国外先进标准 1 项、团体标准 3 项。展望未来，赛迈科将以此次标准发布为契机，持续强化技术创新与产业协同，致力于构建完整的化合物半导体用石墨及碳材料标准体系，助力 “中国制造” 成为全球半导体材料新标杆。